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厂商型号

MCH6203-TL-E 

产品描述

BIP NPN 1A 50V

内部编号

277-MCH6203-TL-E

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:5985
1+¥3.4227
10+¥2.7661
100+¥1.8853
500+¥1.4142
1000+¥1.0606
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MCH6203-TL-E产品详细规格

规格书 MCH6203-TL-E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN, PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 430mV @ 10mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 420MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装 6-MCPH
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1
最低工作温度 -55
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 420(Typ)
包装宽度 1.6
PCB 6
最大功率耗散 1000
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最大集电极发射极电压 50
供应商封装形式 MCPH
最高工作温度 150
包装长度 2
引脚数 6
最小直流电流增益 200@100mA@2V
包装高度 0.88(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Flat
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN, PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 420MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 430mV @ 10mA, 500mA
系列 *
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 6-MCPH
功率 - 最大 1W
封装/外壳 6-SMD, Flat Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
RoHS RoHS Compliant
增益带宽产品fT 420 MHz
晶体管极性 NPN
直流集电极/增益hfe最小值 200
直流电流增益hFE最大值 560
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 50 V, 80 V
Pd - Power Dissipation 1 W
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V, 5 V
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V, 80 V
最低工作温度 - 55 C
集电极 - 发射极饱和电压 - 280 mV, 130 mV
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
品牌 ON Semiconductor
连续集电极电流 200 mA

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